Nguyễn Quý Tuấn

Thứ ba - 07/05/2024 19:06
In ra
Đóng cửa sổ này

Họ và tên:	Nguyễn Quý Tuấn
Giới tính:	Nam
Năm sinh:	10/10/1984
Nơi sinh:	Quảng Nam.
Quê quán	Tam Kỳ, Quảng Nam
Tốt nghiệp ĐH chuyên ngành:	Sư phạm Vật lý; Tại: Trường Đại học Sư phạm – Đại học Đà Nẵng
Đơn vị công tác:	Phòng Khoa học và HTQT; Trường Đại học Sư phạm
Chức vụ:	Trưởng phòng
Học vị:	Tiến sĩ; năm: 2014; Chuyên ngành: Khoa học Vật liệu - Công nghệ Nano; Tại: Viện Khoa học và Công nghệ tiên tiến Nhật Bản (JAIST)
Dạy CN:	Vật lý đại cương; Vật lý màng mỏng; Vật lý bán dẫn; Ứng dụng công nghệ thông tin trong Vật lý;
Lĩnh vực NC:	Khoa học Vật liệu; Vật liệu từ Vật liệu cách điện, điện môi Phân tích phổ XRD, Raman, huỳnh quang
Ngoại ngữ:	Tiếng Anh
Địa chỉ liên hệ:	Khoa Vật lý, Trường ĐH Sư phạm, ĐH Đà Nẵng
Điện thoại:	0511 7333 29; Mobile: 09 8885 7870
Email:	nqtuan@ued.udn.vn

Quá trình giảng dạy và công tác

A) Thâm niên công tác:
- 01/2008 - nay: Cán bộ giảng dạy khoa Vật lý, trường Đại học Sư phạm - ĐH Đà Nẵng (ĐHSP-ĐHĐN).

B) Quá trình học tập và giảng dạy
- 11/2006 - 11/2008: Học Cao học chuyên ngành Vật lý Vô tuyến tại khoa Vật lý, Trường ĐH Khoa học Tự nhiên, ĐH Quốc gia Hà Nội (VNU).
- 12/2008 - 11/2010: Giảng dạy tại khoa Vật lý, Trường ĐHSP-ĐHĐN.
- 12/2010 - 10/2011: Tham gia chương trình liên kết đào tạo của VNU và Viện Khoa học và Công nghệ tiên tiến Nhật Bản (JAIST), tại VNU.
- 11/2011 - 09/2014: Nghiên cứu sinh tại Viện Khoa học và Công nghệ tiên tiến Nhật Bản (JAIST) (Suzuki laboratory).
- 10/2014 - 12/2015: Giảng viên, Giảng dạy tại Khoa Vật lý, Trường ĐHSP-ĐHĐN.
- 01/2016 - 3/2020: Phó Trưởng khoa, Khoa Vật lý, Trường ĐHSP-ĐHĐN.
- 3/2020 - nay: Trưởng phòng, Phòng Khoa học và Hợp tác quốc tế, Trường ĐHSP-ĐHĐN

Các công trình khoa học

[1]	Đề tài cấp cơ sở: Nghiên cứu chế tạo, khảo sát tính chất từ và cơ chế truyền dẫn CỦA VẬT LIỆU La_0.5Ca_0.5Mn_0.5Fe_0.5O₃. Chủ nhiệm: Nguyễn Quý Tuấn. Thành viên: TS. Đinh Thanh Khẩn, ThS. Lê Văn Thanh Sơn, Võ Văn Linh. Mã số: T2019-TD-03. Năm: 2022. (Feb 20 2020 10:09AM)
[2]	Đề tài cấp cơ sở: Thiết kế trang Web học tập và các bài giảng điện tử cho học phần Vật lí đại cương 2. Chủ nhiệm: Nguyễn Quý Tuấn. Mã số: T2010-03-28. Năm: 2010. (Mar 8 2023 6:12AM)
[3]	Đề tài cấp cơ sở: Các đặc trưng khuếch đại và tạp âm của bộ khuếch đại quang sợi EDFA hoạt động với bơm đồng hướng bước song 1480 nm. Chủ nhiệm: Nguyễn Quý Tuấn. Mã số: T2009-03-58. Năm: 2009. (Mar 8 2023 6:11AM)

Các bài báo, báo cáo khoa học

QUỐC TẾ:
[1]	Article: Microwave absorption performance for Cu, Co, and Ti co-doped SrFe12O19 as a function of incident angle. Authors: C.T.A. Xuan, H.N. Toan, P.T.V. Ha, T.A. Ho,T.D. Thanh , N.Q. Tuan, P.T. Tho, N. Tran. Materials Chemistry and Physics. No: In press. Pages: 129174. Year 2024. (Mar 11 2024 7:35AM)
[2]	Article: Development of high-efficiency tri-layer microwave absorbing materials based on SrMeFe11O19 hexaferrite. Authors: Tran Dang Thanh , Ngo Tran , Nguyen Thi Viet Chinh, Tran Thi Ha Giang, Do Hung Manh, Nguyen Quy Tuan. Journal of Alloys and Compounds. No: 970. Pages: 172421. Year 2023. (Mar 6 2024 6:55PM)
[3]	Article: Excellent microwave absorption performances of cobalt-doped SrFe12O19 hexaferrite with varying incident angles. Authors: Tran Dang Thanh , Ngo Tran, Nguyen Thi Viet Chinh, Nguyen Thi Ngoc Anh, Do Hung Manh, Nguyen Quy Tuan. Journal of Alloys and Compounds. No: 952. Pages: 170060. Year 2023. (Mar 6 2024 7:01PM)
[4]	Article: Detailed microwave loss mechanisms for nanocomposites of La-doped BaFe12O19 and polyaniline. Authors: P.T. Tho, N. Tran , N.Q. Tuan, T.A. Ho , C.T.A. Xuan , H.N. Toan, B.W. Lee. Ceramics International (J). No: 49 (14). Pages: 23669-23679. Year 2023. (Mar 6 2024 7:08PM)
[5]	Article: Ultra-wide effective absorption bandwidth of Cu, Co, and Ti co-doped SrFe₁₂O₁₉ hexaferrite. Authors: P.T.Tho, T.A.Xuan, N.Tran, N.Q. Tuan, W.H.Jeong, S.W.Kim, D.T.Quang, V.D.Nguyen, T.N.Bach, T.D.Thanh, D.T. Khan, B.W.Lee. Ceramics International (J). No: Volume 48, Issue 19, Part A. Pages: 27409-27419. Year 2022. (Mar 8 2023 6:21AM)
[6]	Article: Thickness independent microwave absorption performance of La-doped BaFe₁₂O₁₉ and polyaniline composites. Authors: N. Tran, M.Y. Lee, W.H. Jeong, T.L. Phan, N.Q. Tuan, B.W. Lee. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. No: 538. Pages: 168299. Year 2021. (Mar 8 2023 6:25AM)
[7]	Article: Characteristics of microplastics in shoreline sediments from a tropical and urbanized beach (Da Nang, Vietnam). Authors: Quynh Anh Tran Nguyena, Hoai Nhu Y Nguyen, Emilie Strady, Quy Tuan Nguyen, Mau Trinh-Dang, Van Minh Vo. Marine Pollution Bulletin. No: 161 part B. Pages: 111768. Year 2020. (Mar 8 2023 6:30AM)
[8]	Article: Magnetic phase transition in La0.8Sr0.2Mn0.9Sb0.1O3 manganite under pressure. Authors: S.E. Kichanov, D.P. Kozlenko, L.H. Khiem, N.X. Nghia, N.T.T. Lieu, M.T. Vu, E.V. Lukin, D.T. Khan, N.Q. Tuan, B.N. Savenko, N.T. Dang. Chemical Physics (J). No: 528. Pages: 110541. Year 2020. (Feb 19 2020 11:11AM)
[9]	Article: Study on luminescent properties of Tb³⁺ and Sm³⁺ co-doped CaSiO3 phosphors for white light emitting diodes. Authors: D T Khan , N T Dang , S H Jabarov , T G Naghiyev, R M Rzayev, T Q Nguyen1, H V Tuyen, N T Thanh and L V T Son. Materials Research Express. No: 7. Pages: 016507. Year 2020. (Feb 19 2020 11:26AM)
[10]	Article: Structural, magnetic and electronic properties of Ti-doped BaFeO3-d exhibiting colossal dielectric permittivity . Authors: N.T. Dang, D.P. Kozlenko, N. Tran, B.W. Lee, T.L. Phan, R.P. Madhogaria, V. Kalappattil, D.S. Yang, S.E. Kichanov, E.V. Lukin, B.N. Savenko, P. Czarnecki, T.A. Tran, V.L. Vo, L.T.P. Thao, D.T. Khan, N.Q. Tuan, S.H. Jabarov, M.H. Phan. Journal of Alloys and Compounds. No: 808. Pages: 151760. Year 2019. (Feb 19 2020 10:59AM)
[11]	Article: Low-frequency noise in AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors. Authors: Son Phuong Le, Toshimasa Ui, Tuan Quy Nguyen, Hong-An Shih, and Toshi-kazu Suzuki. Journal of Applied Physics. No: 119. Pages: 204503. Year 2016. (Sep 24 2018 10:46AM)
[12]	Presentations: Temperature-dependent characteristics of AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor het-erojunction field-effect transistors. Authors: Tuan Quy Nguyen*, Toshimasa Ui, Masahiro Kudo, Hong-An Shih, Norihiko Hashimoto, and Toshi-kazu Suzuki. 2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2014), Kanazawa, Japan, July 1–3, (2014). Pages: 234-238. Year 2014. (Jul 9 2014 11:57AM)
[13]	Article: Low-frequency noise in AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor devices: a comparison with Schottky devices. Authors: Son Phuong Le, Tuan Quy Nguyen, Hong-An Shih, Masahiro Kudo, and Toshi-kazu Suzuki. Journal of Applied Physics. No: 116. Pages: 054510. Year 2014. (Sep 24 2018 10:42AM)
[14]	Article: Fabrication and characterization of BN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors with sputtering-deposited BN gate dielectric. Authors: Tuan Quy Nguyen, Hong-An Shih, Masahiro Kudo, Toshi-kazu Suzuki. Physica Status Solidi (C). No: 10. Pages: 1401–1404. Year 2013. (Feb 12 2014 10:02PM)
[15]	Presentations: AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors with sputtering-deposited BN gate dielectric. Authors: Tuan Quy Nguyen, Hong-An Shih, Masahiro Kudo, and Toshi-kazu Suzuki. The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, Kobe, Japan. Pages: TuC3-4. Year 2013. (Feb 15 2014 9:44PM)
[16]	Presentations: Application of AlTiO thin films to AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors. Authors: Tuan Quy Nguyen, Toshimasa Ui, Masahiro Kudo, Yuji Yamamoto, Hong-An Shih, and Toshi-kazu Suzuki. 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials, Fukuoka, Japan, September 24–27 (2013).. Pages: 920-921. Year 2013. (Feb 15 2014 9:53PM)
[17]	Presentations: X-ray photoelectron spectroscopy for BN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors. Authors: Masahiro Kudo, Tuan Quy Nguyen, Hong-An Shih, and Toshi-kazu Suzuki. 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Hakodate, Japan, September 2–5 (2013).. Pages: 49-50. Year 2013. (Feb 25 2014 11:00PM)
[18]	Presentations: Characterization of gate-control efficiency in AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor structure by capacitance-frequency-temperature mapping. Authors: Hong-An Shih, Tuan Quy Nguyen, Masahiro Kudo, and Toshi-kazu Suzuki. 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials, Kyoto, Japan, September 25-27, (2012). Pages: 905-906. Year 2012. (Jul 9 2014 12:07PM)

Sách và giáo trình

[1]	Electromagnetic Waves: Advances in Applications and Research (Chapter 1: Microwave absorption properties of CoFe2O4-based materials: A review) Chủ biên: Trần Ngọ. Đồng tác giả: Nguyen Quy Tuan, Chu Thi Anh Xuan . Nơi XB: Nova Science Publishers. Năm 2022.(Mar 8 2023 6:36AM)
[2]	Giáo trình Thí nghiệm Vật lí đại cương Chủ biên: Nguyễn Quý Tuấn. Đồng tác giả: Đinh Thanh Khẩn, Dụng Văn Lữ, Mai Thị Kiều Liên, Trần Thị Hồng, Nguyễn Thị Xuân Hoài, Đặng Ngọc Toàn. Nơi XB: Nhà xuất bản Đà Nẵng. Năm 2021.(Mar 8 2023 6:34AM)

Giải thưởng khoa học, phát minh và sáng chế

Stt	Tên	Lĩnh vực	Năm nhận	Số	Nơi cấp
[1]	AWAD2014 Young Researcher Award	Khoa học công nghệ	2014		2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2014), Kanazawa, Japan, July 1–3, 7A-3 (2014).

GIÁO TRÌNH

THÍ NGHIỆM VẬT LÍ ĐẠI CƯƠNG(Cơ, Nhiệt, Điện và từ, Dao động và Quang)

BÀI BÁO, TẠP CHÍ:
KHẢO SÁT SỰ PHỤ THUỘC CÁC ĐẶC TRƯNG KHUẾCH ĐẠI CỦA BỘ KHUẾCH ĐẠI QUANG SỢI PHA TẠP ERBIUM (EDFA) Ở BƯỚC SÓNG KÍCH THÍCH 1480NM
CHẾ TẠO HẠT CACBON NANÔ THEO HƯỚNG TIẾP CẬN XANH BẰNG PHƯƠNG PHÁP THỦY NHIỆT

Tác giả bài viết: Nguyễn Quý Tuấn

Thư viện

Nguyễn Quý Tuấn